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砷化镓材料发展和市场前景
被引:17
作者
:
陈坚邦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京有色金属研究总院!北京
陈坚邦
机构
:
[1]
北京有色金属研究总院!北京
来源
:
稀有金属
|
2000年
/ 03期
关键词
:
砷化镓材料;
器件;
市场;
D O I
:
10.13373/j.cnki.cjrm.2000.03.011
中图分类号
:
TN304 [材料];
学科分类号
:
摘要
:
综述世界GaAs材料器件的产销情况、市场前景及GaAs材料的发展趋势。预测2 0 0 0年GaAsIC用于通讯将占GaAsIC市场的 71 % ,并以年均增长率 1 5%的速度发展。发光器件 1 999年增长 1 2 % ,其中激光器件增幅最大 ,达 1 6%。GaAs材料电子器件和光电器件的比例约为 2∶3。对大直径 (Φ76mm以上 )、低位错、低热应力、高质量的GaAs单晶有较大的需求量。VB、VGF和VCZ是满足这些要求的最佳GaAs单晶生长方法。
引用
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页码:208 / 217
页数:10
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