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高Tc氧化物超导薄膜的分子束外延研究综述
被引：4
作者：
王会生
机构：
[1] 中国科学院物理研究所光物理实验室
[2] 中国科学院凝聚态物理中心
来源：
关键词：
超导体;
超导薄膜;
T_c;
分子束外延;
基片材料;
镀膜技术;
薄膜生长;
晶体生长;
D O I：
暂无
中图分类号：
O511 [超导电性];
学科分类号：
摘要：
高临界温度（Ｔｃ）氧化物超导体的研究日新月异。作为高Ｔｃ超导研究重要组成部分的氧化物超导薄膜物理和技术也得到了飞速发展。分子束外延（ＭＢＥ）作为一项高级精密的真空镀膜技术，也跟其它镀膜技术一样，在高Ｔｃ超导薄膜的研究中发挥了独特的作用并取得了许多重要成就。本文结合作者近年来在高温超导体ＭＢＥ研究方面的工作，对这一新兴领域的进展和概况作一综述性介绍，并对该领域未来的发展作一些展望
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