反应溅射掺锡氧化铟薄膜成份与结构的研究

被引:6
作者
杨绍群
沈祖贻
李越
董保兴
刘英杰
机构
[1] 秦皇岛耀华工业技术玻璃厂
关键词
掺锡氧化铟薄膜; 反应溅射; 薄膜的成分与结构;
D O I
10.13385/j.cnki.vacuum.1990.04.002
中图分类号
学科分类号
摘要
本文介绍了采用直流磁控反应溅射技术,在氩氧混合气体条件下制备掺锡氧化铟薄 膜(简称 ITO膜)的工艺。给出的 DPS、AES、XPC的分析结果表明: ITO薄膜 的成份为 In_2O_3和 SnO_2组成;其 ITO薄膜为立方结构。
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共 1 条
[1]   基体偏压和反应气体分压强对溅射导电膜电阻率的影响 [J].
仲永安 ;
张怀武 ;
许武毅 .
真空, 1989, (04) :54-59