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非晶态硅(a-Si)薄膜结构弛豫现象的观测
被引:1
作者
:
何宇亮
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机构:
不详
何宇亮
周衡南
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不详
周衡南
不详
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机构:
不详
不详
机构
:
[1]
不详
[2]
南京大学固体物理研究所
[3]
不详
[4]
南京大学固体物理研究所
[5]
不详
来源
:
科学通报
|
1984年
/ 16期
关键词
:
薄膜结构;
a-Si;
特征峰;
非晶态;
衍射峰;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
<正> 非晶硅薄膜的结构与制备条件及工艺过程有着密切的联系,它对薄膜的基本性质起着决定性作用。近几年来,我们使用常规X射线衍射手段对用G D法、CVD法及PCTD法淀积的a-Si薄膜结构和
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页码:1023 / 1024
页数:2
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