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Ga2S3∶Eu2+和SrGa2+xS4+y∶Eu2+系列荧光粉的发光性能研究
被引：4
作者：
徐剑
张剑辉
张新民
郭崇峰
苏锵
机构：
[1] 中山大学化学与化学工程学院
[2] 中山大学化学与化学工程学院 广东广州
[3] 广东广州
来源：
基金：
广东省自然科学基金;
关键词：
光学;
硫化物;
荧光粉;
稀土;
D O I：
暂无
中图分类号：
O482.31 [发光学];
学科分类号：
070205 ;
0805 ;
080502 ;
0809 ;
摘要：
采用高温固相法合成了Ga2S3∶Eu2+和SrGa2S4∶Eu2+系列荧光粉。发现Ga2S3∶Eu2+的发射峰位于570nm附近,SrGa2S4∶Eu2+的发射峰位于535nm附近。同时进一步探讨了SrGa2+xS4+y∶Eu2+体系中,过量的Ga对发光的影响,通过漫反射光谱和XRD谱确定过量的Ga是以Ga2S3的形式存在于SrGa2S4相中;通过荧光光谱发现过量的Ga并不引起SrGa2S4∶Eu2+发射峰的位移,而是增强其在400～520nm处激发峰的强度,从而增强Eu2+在535nm处的发光强度。
引用
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页码：635 / 638
页数：4
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