矿物中硅的配位与局部结构的同步辐射K边X射线吸收光谱研究

被引:1
作者
李迪恩
彭明生
机构
[1] 中山大学地质系!广州
关键词
X射线吸收光谱; 矿物; 硅的配位;
D O I
暂无
中图分类号
P575.1 [电子探针];
学科分类号
070901 ;
摘要
<正>在通常的硅酸盐矿物中,硅为四面体配位。但在下地幔的高温高压条件下(大于10GPa),硅主要为八面体配位。此外,八面体配位的硅也出现在某些合成硅酸盐化合物中。X射线晶体结构分析、红外和Raman光谱是研究硅在无机结晶物质中的配位与位置对称性的常规方法。但在过去的15年里,魔角自旋核磁共振谱已成为研究硅在硅酸盐矿物和其他无机材料中配位与局部结构的最有效方法。最近也有文献报道了用硅的K边X射线吸收谱和电子能量损失谱研究硅的配位。本文采用了同步辐射作光源得到的硅K边X射线吸收光谱来研究硅在硅酸盐矿物和无机材料中的配位与局部结构。
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[1]   Distinction between six- and fourfold coordinated silicon in SiO2 polymorphs via electron loss near edge structure (ELNES) spectroscopy [J].
Sharp, T ;
Wu, Z ;
Seifert, F ;
Poe, B ;
Doerr, M ;
Paris, E .
PHYSICS AND CHEMISTRY OF MINERALS, 1996, 23 (01) :17-24
[2]   SILICON K-EDGE XANES SPECTRA OF SILICATE MINERALS [J].
LI, D ;
BANCROFT, GM ;
FLEET, ME ;
FENG, XH .
PHYSICS AND CHEMISTRY OF MINERALS, 1995, 22 (02) :115-122