一氧化氮对抗脑缺血再灌注所致脑细胞凋亡的机制探讨

目的探讨一氧化氮(nitric oxide,NO)对局灶性脑缺血再灌注所致神经细胞损伤的影响及影响机制。方法将SD大鼠随机分为假手术组(N组)、脑缺血再灌注组(MCAO组)、脑缺血再灌注加侧脑室微量注射20 mmol/L的L-Arg 5μL组(L-Arg组)及脑缺血再灌注加侧脑室微量注射20 mmol/L的L-NAME 5μl组(L-NAME组),作脑缺血30 min,再灌注12 h2、4 h和2 d,冰冻切片,相邻切片分别作焦油紫染色、NOS免疫组化、NOS mRNA原位杂交、TUNEL法原位检测凋亡细胞。结果N组NOS的活性弱阳性表达;MCAO组术后24 h NOS的表达明显增强,与各组比较,P<0.05;L-Arg组术后12 h小血管内皮细胞出现NOS的阳性高表达,术后24 h神经细胞NOS的阳性表达最高,与各组比较,P<0.05;L-NAME组各时间点NOS活性的表达为阴性或可疑阳性,与各组比较P<0.05,NOS的活性明显受到抑制。凋亡细胞的计数结果为N组26.3±4.2个,MCAO组62±4.2个,L-Arg组40.6±2.7个,L-NAME组78.3±3.3个,P<0.05。结论适量NO可有效降低细胞凋亡的发生,减轻脑缺血再灌注所致的神经细胞的损伤。