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99.99999%高纯镓的制备工艺
被引：7
作者：
马太琼
机构：
[1] 冶金工业部有色金属研究院室
来源：
关键词：
杂质含量;
GaAs;
双电层;
阴离子;
阴极表面;
电偶层;
晶体;
电解液净化;
半导体材料;
电工材料;
电解精炼法;
制备工艺;
碱性溶液;
D O I：
10.13373/j.cnki.cjrm.1979.05.011
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
<正> 高纯金属与现代科学技术的发展有着密切的关系。近年来,为适应电子工业飞速发展的需要,高纯金属的研制达到了一个新的水平。其中高纯镓的研制就是为了满足GaAs、GaP等半导体材料的需要而提出来的。由于GaAs、GaP等化合物半导体材料在合成后难于提纯,液相外延时,也要求尽可能纯的镓作溶剂,因此所用原料质量的优劣,在某种程度上影响了这些化合物的特性。由于高纯镓在
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