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单断口和三断口串联真空灭弧室绝缘击穿统计特性
被引:24
作者
:
廖敏夫
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机构:
大连理工大学电气工程与应用电子技术系
廖敏夫
段雄英
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大连理工大学电气工程与应用电子技术系
段雄英
邹积岩
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机构:
大连理工大学电气工程与应用电子技术系
邹积岩
机构
:
[1]
大连理工大学电气工程与应用电子技术系
来源
:
中国电机工程学报
|
2007年
/ 12期
关键词
:
多断口真空开关;
击穿电压增益倍数;
击穿统计特性;
电场应力;
电压分布;
D O I
:
10.13334/j.0258-8013.pcsee.2007.12.018
中图分类号
:
TM561.5 [灭弧断路器、灭弧室];
学科分类号
:
080801 ;
摘要
:
建立了由3个真空灭弧室串联后组成的三断口真空灭弧室模型。通过施加工频交流高压和冲击高压,重点研究在相同的总开距下,与单断口真空灭弧室模型相比,三断口真空灭弧室模型的静态击穿电压增益特性和静态击穿统计特性,包括三断口真空灭弧室在工频交流电压下的静态电压分布特性。试验研究表明,不同的串联布置方式表现出不同的断口电压分布特性。断口电压分布特性越均匀,则击穿电压增益倍数越高。击穿统计特性试验研究表明,三断口真空灭弧室相比单断口真空灭弧室具有更低的击穿概率。试验结果与理论分析相吻合,证明了理论模型的有效性。
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多断口真空开关的动态介质恢复及统计特性分析
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廖敏夫
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大连理工大学电气工程与应用电子技术系,大连理工大学电气工程与应用电子技术系,大连理工大学电气工程与应用电子技术系,大连理工大学电气工程与应用电子技术系辽宁大连,辽宁大连,辽宁大连,辽宁大连
廖敏夫
;
段雄英
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大连理工大学电气工程与应用电子技术系,大连理工大学电气工程与应用电子技术系,大连理工大学电气工程与应用电子技术系,大连理工大学电气工程与应用电子技术系辽宁大连,辽宁大连,辽宁大连,辽宁大连
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大连理工大学电气工程与应用电子技术系,大连理工大学电气工程与应用电子技术系,大连理工大学电气工程与应用电子技术系,大连理工大学电气工程与应用电子技术系辽宁大连,辽宁大连,辽宁大连,辽宁大连
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