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二次离子质谱的深度分辨本领
被引：6
作者：
朱怡峥
桂东
陈娉
马农农
韩象明
查良镇
机构：
[1] 清华大学电子工程系!北京
[2] 信息产业部电子第四十六研究所!天津
来源：
关键词：
二次离子质谱;
深度剖析;
深度分辨;
δ掺杂;
D O I：
10.13385/j.cnki.vacuum.2000.05.005
中图分类号：
TN304 [材料];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
深度剖析是二次离子质谱在半导体以及各种其它薄膜材料分析中最重要的应用 ,深度分辨本领是表征其分析能力的重要参数 ,国际标准化组织 ( ISO)最近正在研究和制定这方面的国际标准。本文在概述了SIMS深度分辨本领影响因素的基础上 ,推导了δ掺杂层深度分辨函数的解析表达式 ,讨论了其物理意义 ,特别是分辨参数的定义。在 CAMECA IMS4 f仪器上用 5.5ke V的氧束对 Si中 Ga Asδ掺杂多层膜样品进行了深度剖析 ,讨论了所得分辨参数及影响因素。结合国外实验室 ISO巡回测试的结果 ,对深度分辨参数的定义和评估方法进行了简要评述
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