东西方面孔异族效应机理的电生理学证据

被引：17

作者：

彭小虎

罗跃嘉

卫星

王国锋

魏景汉

机构：

[1] 中国科学院心理研究所心理健康重点实验室

[2] 中国科学院心理研究所心理健康重点实验室北京

来源：

心理学报 | 2003年 / 01期

关键词：

事件相关电位; 异族效应; DM效应; 记忆;

D O I：

暂无

中图分类号：

B842 [心理过程与心理状态];

学科分类号：

040201 ;

摘要：

采取事件相关电位方法研究东西方面孔记忆编码的差异 (DM效应 ) ,从而阐明异族效应的神经机制。 14名被试学习和再认东西方面孔照片的实验结果表明 ,无论记住与否 ,西方面孔产生的早期成分 (潜伏期 70～ 2 2 0ms)在头皮额部有一个比东方面孔更为正向的变化 ,表明在此阶段更多的资源分配于异族面孔 ,支持异族效应产生的特征选择假说。无论东方面孔还是西方面孔 ,记住与未记住相比较 ,则在额部和顶部产生潜伏期在晚期正成分(LPC)范围的正走向变化 ,但西方面孔在 2 4 0～ 32 0ms潜伏期范围内 ,DM效应较小。另外 ,东方面孔在枕部诱发出一个明显的负波N2 6 0 ,而西方面孔产生的N2 6 0很小甚至没有 ,反映了大脑对不同种族面孔的编码机制有所不同 ,因而可能被称为“种族特异波”。

引用

页码：50 / 55

页数：6

共 7 条

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