MEMS高温接触式电容压力传感器

被引：20

作者：

冯勇建

机构：

[1] 厦门大学机电工程系

来源：

仪器仪表学报 | 2006年 / 07期

关键词：

MEMS; 高温; 传感器; 电容式; SOI硅片;

D O I：

10.19650/j.cnki.cjsi.2006.07.032

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

本文介绍了一种用SOI硅片和硅?硅键合MEMS技术制作的高温接触式电容压力传感器,并给出了详细的工艺制作流程。在对测试装置、测试电路进行了详细地介绍和深入分析后,用此测试电路对制作的传感器器件进行了高温测试。测试结果表明,传感器在小于250kPa的室温条件下工作,传感器的灵敏度为0.54 mV/kPa;而在400℃条件下工作,传感器的灵敏度为0.41 mV/kPa,传感器的零点飘移为0.1mV/℃。可见这种微传感器可在低于450℃的条件下正常工作,且具有很大的线性工作范围、良好的稳定性和较高的灵敏度。

引用

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