电针“百会”、“风府”穴对学习记忆障碍大鼠模型的认知行为及脑内生长抑素的影响

目的:探讨采用电针“百会”、“风府”穴的方法对学习记忆障碍大鼠模型脑内生长抑素(SS)的影响。方法:雄性Wistar大鼠48只,随机分为假手术组、模型组、针刺组和西药组。采用D-半乳糖腹腔注射及鹅膏蕈氨酸双侧Meynert核注射的方法制作大鼠模型。应用电针“百会”、“风府”穴进行治疗。结果:电针大鼠“百会”、“风府”穴可以减少其在穿梭箱检测中遭受电击的次数及电击时间,提高脑组织内SS的含量。结论:电针“百会”、“风府”穴可以提高大鼠脑组织内的SS含量,进而改善大鼠的学习记忆能力。