嫁接对薄皮甜瓜叶绿素荧光参数的影响

研究目的为了探明薄皮甜瓜嫁接苗初期生长势弱,而中、后期生长势加强,且最终生长势强于自根苗这一现象的相关机制。方法选取薄皮甜瓜品种‘金蜜’为接穗,南瓜品种‘圣砧1号’为砧木,以自根苗为对照,用PAM-2100型叶绿素荧光仪于定植后20、30、45、60d测定其叶绿素荧光参数。结果定植后20d,嫁接苗的最大光化学效率(Fv/Fm)、PSⅡ光合电子传递量子效率(ΦPSⅡ)、光合电子传递速率(ETR)、光化学猝灭系数(qP)低于自根苗;定植后30、45、60d,嫁接苗Fv/Fm、ΦPSⅡ、ETR、qP及开放PSⅡ中心激发能捕获效率(Fv’/Fm’)高于对照,而非光化学猝灭系数(qN)低于对照。20d时,嫁接苗吸收的光能用于光化学反应的能量比例(θPSⅡ)低于对照;但30d后,θPSⅡ显著升高,45d时超过70%,而自根苗只有60%。结论定植初期,薄皮甜瓜嫁接苗的光能传递和转化效率不如自根苗,但30d后,对光能的利用和转化效率显著提高,表明嫁接苗的生长主要集中在中后期,且导致最终植株生长势强于自根苗。