基于双层电化学结构的微型安培免疫传感器

被引：1

作者：

边超

许媛媛

孙红光

陈绍凤

夏善红

机构：

[1] 中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室北方基地

来源：

仪表技术与传感器 | 2006年 / 01期

关键词：

安培酶免疫传感器; 电化学聚合; 聚吡咯; 聚邻苯二胺; IgG;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP212.2 [化学传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

文中利用MEMS工艺在硅基底上制备铂微电极芯片,并采用双层电化学结构进行抗体的固定,用于人免疫球蛋白IgG的安培酶免疫检测。第一层为聚吡咯过渡层,第二层为抗体与聚邻苯二胺的共聚层。该传感器工作电压-0.3V,检测下限5 ng/mL,线性范围5～355 ng/mL,响应时间3～5 min,具有制备简便、响应快、下限低、试剂用量少、微型化、便于集成等优点。

引用

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共 4 条

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