Exciton luminescence of single-crystal GaN

被引：9

作者：

Mullhauser, JR ^{[1
]}

Brandt, O ^{[1
]}

Yang, H ^{[1
]}

Ploog, KK ^{[1
]}

机构：

[1] PAUL DRUDE FESTKORPERELEKT,D-10117 BERLIN,GERMANY

来源：

GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS | 1996年 / 395卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-395-607

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：607 / 612

页数：6