Understanding the pyramidal growth of GaN

被引：24

作者：

Rouviere, JL ^{[1
]}

Arlery, M ^{[1
]}

Bourret, A ^{[1
]}

Niebuhr, R ^{[1
]}

Bachem, KH ^{[1
]}

机构：

[1] CEA GRENOBLE,DEPT RECH FONDAMENTALE MAT CONDENSEE,SP2M,LS,F-38054 GRENOBLE 9,FRANCE

来源：

GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS | 1996年 / 395卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-395-393

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：393 / 398

页数：6