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Epitaxial growth of GaN films produced by ECR-assisted MBE
被引：41
作者：
Moustakas, TD
[1
]
机构：
[1] BOSTON UNIV,MOL BEAM EPITAXY LAB,DEPT ELECT ENGN,BOSTON,MA 02215
来源：
GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS
|
1996年
/
395卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-395-111
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：111 / 122
页数：12
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