A novel built-in current sensor for I-DDQ testing of deep submicron CMOS ICs

被引：16

作者：

Athan, SP ^{[1
]}

Landis, DL ^{[1
]}

AlArian, SA ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV S FLORIDA,CTR MICROELECTR RES,TAMPA,FL 33620

来源：

14TH IEEE VLSI TEST SYMPOSIUM, PROCEEDINGS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/VTEST.1996.510845

中图分类号：

TP3 [计算技术、计算机技术];

学科分类号：

0812 ;

摘要：

引用

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页数：6