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HgCdTe material properties and their influence on IR FPA performance
被引：7
作者：
Cockrum, CA
[1
]
机构：
[1] SANTA BARBARA RES CTR, GOLETA, CA 93117 USA
来源：
PHOTODETECTORS: MATERIALS AND DEVICES
|
1996年
/
2685卷
关键词：
HgCdTe;
IR photodiodes;
diode performance modeling;
IR FPA cost;
D O I：
10.1117/12.237700
中图分类号：
O43 [光学];
学科分类号：
070207 ;
0803 ;
摘要：
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