Sub-quarter-micron dual gate CMOSFETs with ultra-thin gate oxide of 2nm

被引：7

作者：

Kuroi, T ^{[1
]}

Shimizu, S ^{[1
]}

Ogino, S ^{[1
]}

Teramoto, A ^{[1
]}

Shirahata, M ^{[1
]}

Okumura, Y ^{[1
]}

Inuishi, M ^{[1
]}

Miyoshi, H ^{[1
]}

机构：

[1] MITSUBISHI ELECTR CORP,ULSI LAB,ITAMI,HYOGO 664,JAPAN

来源：

1996 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY: DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/VLSIT.1996.507853

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：210 / 211

页数：2