Structural characterization of ion beam synthesized epitaxial ErSi2-x layers

被引：8

作者：

Bender, H ^{[1
]}

Wu, MF ^{[1
]}

Vantomme, A ^{[1
]}

Pattyn, H ^{[1
]}

Langouche, G ^{[1
]}

机构：

[1] IMEC,B-3001 LOUVAIN,BELGIUM

来源：

SILICIDE THIN FILMS - FABRICATION, PROPERTIES, AND APPLICATIONS | 1996年 / 402卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-402-499

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

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页数：6