Thermoelectric characteristics of homologous compounds with Layer structures in the ZnO-In2O3 system

被引：1

作者：

Koumoto, K ^{[1
]}

Ohta, H ^{[1
]}

Seo, WS ^{[1
]}

机构：

[1] NAGOYA UNIV,SCH ENGN,DEPT APPL CHEM,CHIKUSA KU,NAGOYA,AICHI 46401,JAPAN

来源：

PROCEEDINGS ICT '96 - FIFTEENTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THERMOELECTRICS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/ICT.1996.553286

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：4