Optimizing the vertical IGBT structure - The NPT concept as the most economic and electrically ideal solution for a 1200V-IGBT

被引：12

作者：

Laska, T ^{[1
]}

Fugger, J ^{[1
]}

Hirler, F ^{[1
]}

Scholz, W ^{[1
]}

机构：

[1] SIEMENS AG,D-81541 MUNICH,GERMANY

来源：

ISPSD '96 - 8TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS, PROCEEDINGS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/ISPSD.1996.509473

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：169 / 172

页数：4