The possible mechanism of excitation of the f-f emission from Er-O clusters in silicon

被引：7

作者：

Masterov, VF ^{[1
]}

Gerchikov, LG ^{[1
]}

机构：

[1] ST PETERSBURG STATE TECH UNIV,DEPT EXPT PHYS,ST PETERSBURG 195251,RUSSIA

来源：

RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II | 1996年 / 422卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-422-227

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

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页数：12