Growth and doping of AlxGa1-xN deposited directly on alpha(6H)-SiC(0001) substrates via organometallic vapor phase epitaxy

被引：12

作者：

Bremser, MD ^{[1
]}

Perry, WG ^{[1
]}

Edwards, NV ^{[1
]}

Zheleva, T ^{[1
]}

Parikh, N ^{[1
]}

Aspnes, DE ^{[1
]}

Davis, RF ^{[1
]}

机构：

[1] N CAROLINA STATE UNIV,DEPT MAT SCI & ENGN,RALEIGH,NC 27695

来源：

GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS | 1996年 / 395卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-395-195

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：195 / 200

页数：6