MBE growth and properties of HgCdTe long wave and very long wave infrared detectors

被引：5

作者：

Rajavel, RD ^{[1
]}

Wu, OK ^{[1
]}

Jensen, JE ^{[1
]}

Cockrum, CA ^{[1
]}

Venzor, GM ^{[1
]}

Patten, EA ^{[1
]}

Goetz, PM ^{[1
]}

Leonard, DB ^{[1
]}

Johnson, SM ^{[1
]}

机构：

[1] HUGHES RES LABS,MALIBU,CA 90265

来源：

COMPOUND SEMICONDUCTOR ELECTRONICS AND PHOTONICS | 1996年 / 421卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-421-335

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：335 / 340

页数：6