Hydrogen plasma treatment of natural and homoepitaxial diamond

被引：15

作者：

Rawles, RE ^{[1
]}

Gat, R ^{[1
]}

Morris, WG ^{[1
]}

DEvelyn, MP ^{[1
]}

机构：

[1] RICE UNIV,DEPT CHEM,HOUSTON,TX 77251

来源：

DIAMOND FOR ELECTRONIC APPLICATIONS | 1996年 / 416卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-416-299

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：299 / 304

页数：6