A Gate-side Air-gap Structure (GAS) to reduce the parasitic capacitance in MOSFETs

被引：16

作者：

Togo, M ^{[1
]}

Tanabe, A ^{[1
]}

Furukawa, A ^{[1
]}

Tokunaga, K ^{[1
]}

Hashimoto, T ^{[1
]}

机构：

[1] NEC CORP LTD,MICROELECTR RES LABS,SAGAMIHARA,KANAGAWA 229,JAPAN

来源：

1996 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY: DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/VLSIT.1996.507785

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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