Foreword

被引：219

作者：

Chen, Sinn-wen ^{[1
,9
]}

Chada, Srinivas ^{[2
]}

Chen, Chih-ming ^{[3
,10
]}

Flandorfer, Hans ^{[4
,11
]}

Lindsay Greer, A. ^{[5
,12
]}

Lee, Jae-Ho ^{[6
,13
]}

Zeng, Kejun ^{[7
,14
]}

Suganuma, Katsuaki ^{[8
,15
]}

机构：

[1] Natl Tsing Hua Univ, Hsinchu, Taiwan

[2] Medtron Microelectron, Tempe, AZ USA

[3] Natl Chung Hsing Univ, Taichung, Taiwan

[4] Univ Vienna, Vienna, Austria

[5] Univ Cambridge, Cambridge, England

[6] Hongik Univ, Seoul, South Korea

[7] Texas Instruments Inc, Dallas, TX USA

[8] Osaka Univ, Suita, Osaka, Japan

[9] Natl Tsing Hua Univ, Hsinchu, Taiwan

[10] Natl Chung Hsing Univ, Taichung, Taiwan

[11] Univ Vienna, A-1010 Vienna, Austria

[12] Univ Cambridge, Cambridge CB2 1TN, England

[13] Hongik Univ, Seoul, South Korea

[14] Texas Instruments Inc, Dallas, TX 75265 USA

[15] Osaka Univ, Suita, Osaka 565, Japan

来源：

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS | 2009年 / 38卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1007/s11664-008-0572-7

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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