Emission of strained-layer InGaAs quantum well under high injection level: Study of band-filling and broadening effects.

被引：7

作者：

Akimova, IV ^{[1
]}

Eliseev, PG ^{[1
]}

机构：

[1] PN LEBEDEV PHYS INST,MOSCOW 117924,RUSSIA

来源：

PHYSICS AND SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES IV | 1996年 / 2693卷

关键词：

quantum well; laser structure; spontaneous emission; InGaAs;

D O I：

10.1117/12.238999

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

引用

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页数：12