Tight-binding initialization for generating high-quality initial wave functions: Application to defects and impurities in GaN

被引：9

作者：

Neugebauer, J ^{[1
]}

Van de Walle, CG ^{[1
]}

机构：

[1] XEROX CORP, PALO ALTO RES CTR, PALO ALTO, CA 94304 USA

来源：

MATERIALS THEORY, SIMULATIONS, AND PARALLEL ALGORITHMS | 1996年 / 408卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-408-43

中图分类号：

TP301 [理论、方法];

学科分类号：

081202 ;

摘要：

引用

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页数：6