Growth kinetics and structural quality in GaN epitaxy by low pressure MOVPE

被引：14

作者：

Briot, O ^{[1
]}

Alexis, JP ^{[1
]}

Gil, B ^{[1
]}

Aulombard, RL ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MONTPELLIER 2,CNRS,GES,F-34095 MONTPELLIER 5,FRANCE

来源：

GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS | 1996年 / 395卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-395-207

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：207 / 212

页数：6