Spiral growth of InGaN/InGaN quantum wells due to Si doping in the barrier layers (vol 74, pg 1153, 1999)

被引：4

作者：

Uchida, K ^{[1
]}

Yang, T ^{[1
]}

Goto, S ^{[1
]}

Mishima, T ^{[1
]}

Niwa, A ^{[1
]}

Gotoh, J ^{[1
]}

机构：

[1] Hitachi Ltd, Cent Res Lab, Tokyo 1858601, Japan

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1999年 / 74卷 / 21期

关键词：

D O I：

10.1063/1.124114

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

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共 1 条

[1] Spiral growth of InGaN/InGaN quantum wells due to Si doping in the barrier layers [J].

Uchida, K ;

Tang, T ;

Goto, S ;

Mishima, T ;

Niwa, A ;

Gotoh, J .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1999, 74 (08) :1153-1155