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Top surface imaging and optical proximity correction: A way to 0.18 mu m lithography at 248 nm
被引:5
作者
:
Goethals, AM
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机构:
IMEC,B-3001 LOUVAIN,BELGIUM
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Goethals, AM
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Vertommen, J
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IMEC,B-3001 LOUVAIN,BELGIUM
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Vertommen, J
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VanRoey, F
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IMEC,B-3001 LOUVAIN,BELGIUM
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VanRoey, F
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Yen, A
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IMEC,B-3001 LOUVAIN,BELGIUM
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Yen, A
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Tritchkov, A
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IMEC,B-3001 LOUVAIN,BELGIUM
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Tritchkov, A
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Ronse, K
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IMEC,B-3001 LOUVAIN,BELGIUM
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Jonckheere, R
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IMEC,B-3001 LOUVAIN,BELGIUM
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Vandenhove, L
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IMEC,B-3001 LOUVAIN,BELGIUM
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Vandenhove, L
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机构
:
[1]
IMEC,B-3001 LOUVAIN,BELGIUM
来源
:
OPTICAL MICROLITHOGRAPHY IX
|
1996年
/ 2726卷
关键词
:
D O I
:
10.1117/12.240910
中图分类号
:
O43 [光学];
学科分类号
:
070207 ;
0803 ;
摘要
:
引用
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页码:362 / 374
页数:13
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