Top surface imaging and optical proximity correction: A way to 0.18 mu m lithography at 248 nm

被引:5
作者
Goethals, AM [1 ]
Vertommen, J [1 ]
VanRoey, F [1 ]
Yen, A [1 ]
Tritchkov, A [1 ]
Ronse, K [1 ]
Jonckheere, R [1 ]
Vandenhove, L [1 ]
机构
[1] IMEC,B-3001 LOUVAIN,BELGIUM
来源
OPTICAL MICROLITHOGRAPHY IX | 1996年 / 2726卷
关键词
D O I
10.1117/12.240910
中图分类号
O43 [光学];
学科分类号
070207 ; 0803 ;
摘要
引用
收藏
页码:362 / 374
页数:13
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