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Excitation and de-excitation of Yb3+ in InP and Er3+ in Si: Photoluminescence and impact ionization studies
被引:12
作者
:
论文数:
引用数:
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机构:
Gregorkiewicz, T
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1
]
Tsimperidis, I
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0
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机构:
UNIV AMSTERDAM,VAN DER WAALS ZEEMAN INST,NL-1018 XE AMSTERDAM,NETHERLANDS
UNIV AMSTERDAM,VAN DER WAALS ZEEMAN INST,NL-1018 XE AMSTERDAM,NETHERLANDS
Tsimperidis, I
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Ammerlaan, CAJ
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机构:
UNIV AMSTERDAM,VAN DER WAALS ZEEMAN INST,NL-1018 XE AMSTERDAM,NETHERLANDS
UNIV AMSTERDAM,VAN DER WAALS ZEEMAN INST,NL-1018 XE AMSTERDAM,NETHERLANDS
Ammerlaan, CAJ
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Widdershoven, FP
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UNIV AMSTERDAM,VAN DER WAALS ZEEMAN INST,NL-1018 XE AMSTERDAM,NETHERLANDS
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Widdershoven, FP
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1
]
Sobolev, NA
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UNIV AMSTERDAM,VAN DER WAALS ZEEMAN INST,NL-1018 XE AMSTERDAM,NETHERLANDS
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Sobolev, NA
[
1
]
机构
:
[1]
UNIV AMSTERDAM,VAN DER WAALS ZEEMAN INST,NL-1018 XE AMSTERDAM,NETHERLANDS
来源
:
RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II
|
1996年
/ 422卷
关键词
:
D O I
:
10.1557/PROC-422-207
中图分类号
:
TB3 [工程材料学];
学科分类号
:
0805 ;
080502 ;
摘要
:
引用
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页码:207 / 218
页数:12
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