193nm imaging using a small-field high-resolution resist exposure tool

被引：3

作者：

Rizvi, NH ^{[1
]}

Gower, MC ^{[1
]}

Ashworth, D ^{[1
]}

Sykes, N ^{[1
]}

Rumsby, PT ^{[1
]}

Smith, BW ^{[1
]}

Goodall, FN ^{[1
]}

Lawes, RA ^{[1
]}

机构：

[1] EXITECH LTD,OXFORD OX8 8LH,ENGLAND

来源：

OPTICAL MICROLITHOGRAPHY IX | 1996年 / 2726卷

关键词：

193nm lithography; silylation; top-surface imaging; photoresists; excimer lasers; line-narrowing;

D O I：

10.1117/12.240981

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

引用

页码：721 / 731

页数：11