Properties of ion implanted and UHV-CVD grown Si:Er

被引：14

作者：

Morse, M ^{[1
]}

Zheng, B ^{[1
]}

Palm, J ^{[1
]}

Duan, X ^{[1
]}

Kimerling, LC ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,DEPT MAT SCI & ENGN,CAMBRIDGE,MA 02139

来源：

RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II | 1996年 / 422卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-422-41

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：41 / 46

页数：6