Low-field magnetoresistance in magnetic tunnel junctions prepared by contact masks and lithography: 25% magnetoresistance at 295 K in mega-ohm micron-sized junctions

被引：44

作者：

Parkin, SSP ^{[1
]}

Fontana, RE ^{[1
]}

Marley, AC ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,ALMADEN RES CTR,DIV RES,SAN JOSE,CA 95120

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1997年 / 81卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1063/1.364588

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：5521 / 5521

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