Direct simulation Monte Carlo (DSMC) of rarefied gas flow during etching of large diameter (300-mm) wafers

被引：9

作者：

Economou, DJ ^{[1
]}

Bartel, TJ ^{[1
]}

机构：

[1] SANDIA NATL LABS,ALBUQUERQUE,NM 87185

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE | 1996年 / 24卷 / 01期

基金：

美国国家科学基金会;

关键词：

D O I：

10.1109/27.491747

中图分类号：

O35 [流体力学]; O53 [等离子体物理学];

学科分类号：

070204 ; 080103 ; 080704 ;

摘要：

Strong density gradients of a gas species can be sustained even at very low pressures when the reaction probability of that species is high, Under these conditions, inlet gas arrangements are very important to reaction uniformity.

引用

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