The effect of CH4/H-2 ECR plasma etching on the electrical properties of p-type Hg1-xCdxTe

被引：3

作者：

Baars, J ^{[1
]}

Keller, RC ^{[1
]}

Richter, HJ ^{[1
]}

SeelmannEggebert, M ^{[1
]}

机构：

[1] FRAUNHOFER INST APPL SOLID STATE PHYS,D-79108 FREIBURG,GERMANY

来源：

INFRARED DETECTORS FOR REMOTE SENSING: PHYSICS, MATERIALS, AND DEVICES | 1996年 / 2816卷

关键词：

Hg1-xCdxTe; ECR plasma etching; annealing; electrical and thermoelectrical properties;

D O I：

10.1117/12.255157

中图分类号：

TP7 [遥感技术];

学科分类号：

081102 ; 0816 ; 081602 ; 083002 ; 1404 ;

摘要：

引用

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