Amplified spontaneous emission-application to Nd:YAG lasers (vol 35, pg 101, 1999)

被引：3

作者：

Barnes, NP ^{[1
]}

Walsh, BM

机构：

[1] NASA, Langley Res Ctr, Hampton, VA 23681 USA

[2] Boston Coll, Chestnut Hill, MA 02167 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JQE.1999.772183

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

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