共 1 条
Ab initio study of deep defect states in narrow band-gap semiconductors:: Group III impurities in PbTe (vol 96, pg 056403, 2006)
被引:6
作者:
Ahmad, S
Hoang, K
Mahanti, SD
机构:
关键词:
D O I:
10.1103/PhysRevLett.96.169907
中图分类号:
O4 [物理学];
学科分类号:
0702 ;
摘要:
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