2-D device numerical simulations of gate sinking failure mechanism in pHEMT

被引：5

作者：

Kaper, V ^{[1
]}

Gao, F ^{[1
]}

Ersland, P ^{[1
]}

机构：

[1] COM, MA, Lowell, MA 01851 USA

来源：

1998 GAAS RELIABILITY WORKSHOP, PROCEEDINGS | 1998年

关键词：

D O I：

10.1109/GAASRW.1998.768038

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：63 / 68

页数：6