High power separate confinement heterostructure AlGaAs/GaAs laser diodes with broadened waveguide

被引：41

作者：

Garbuzov, DZ ^{[1
]}

Abeles, JH ^{[1
]}

Morris, NA ^{[1
]}

Gardner, PD ^{[1
]}

Triano, AR ^{[1
]}

Harvey, MG ^{[1
]}

Gilbert, DB ^{[1
]}

Connolly, JC ^{[1
]}

机构：

[1] DAVID SARNOFF RES CTR,PRINCETON,NJ 08543

来源：

LASER DIODES AND APPLICATIONS II | 1996年 / 2682卷

关键词：

graded-index separate-confinement single quantum well AlGaAs/GaAs laser diodes; waveguide thickness; differential efficiency; near field; far field; optical confinement factor;

D O I：

10.1117/12.237659

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

引用

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