Ultra-thin ZrO2 (or Silicate) with high thermal stability for CMOS gate applications

被引：18

作者：

Luo, ZJ ^{[1
]}

Ma, TP ^{[1
]}

Cartier, E ^{[1
]}

Copel, M ^{[1
]}

Tamagawa, T ^{[1
]}

Halpern, B ^{[1
]}

机构：

[1] Yale Univ, Dept Elect Engn, New Haven, CT 06520 USA

来源：

2001 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 2001年

关键词：

D O I：

10.1109/VLSIT.2001.934986

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：135 / 136

页数：2