Excitation mechanisms and light emitting device performances in Er-doped crystalline Si

被引：6

作者：

Priolo, F ^{[1
]}

Coffa, S ^{[1
]}

Franzo, G ^{[1
]}

Polman, A ^{[1
]}

机构：

[1] INFM,I-95129 CATANIA,ITALY

来源：

RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II | 1996年 / 422卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-422-305

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

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页数：12