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Si single-electron MOS memory with nanoscale floating-gate and narrow channel
被引：12
作者：
Guo, LJ
Leobandung, E
Chou, SY
机构：
来源：
IEDM - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, TECHNICAL DIGEST 1996
|
1996年
关键词：
D O I：
10.1109/IEDM.1996.554141
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：955 / 956
页数：2
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