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Si single-electron MOS memory with nanoscale floating-gate and narrow channel
被引:12
作者
:
Guo, LJ
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Guo, LJ
Leobandung, E
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Leobandung, E
Chou, SY
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Chou, SY
机构
:
来源
:
IEDM - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, TECHNICAL DIGEST 1996
|
1996年
关键词
:
D O I
:
10.1109/IEDM.1996.554141
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:955 / 956
页数:2
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