Si single-electron MOS memory with nanoscale floating-gate and narrow channel

被引:12
作者
Guo, LJ
Leobandung, E
Chou, SY
机构
来源
IEDM - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, TECHNICAL DIGEST 1996 | 1996年
关键词
D O I
10.1109/IEDM.1996.554141
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:955 / 956
页数:2
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