Effects of quantization on the electrical characteristics of deep submicron p- and n-MOSFETs

被引：3

作者：

Jallepalli, S ^{[1
]}

Bude, J ^{[1
]}

Shih, WK ^{[1
]}

Pinto, MR ^{[1
]}

Maziar, CM ^{[1
]}

Tasch, AF ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV TEXAS,AUSTIN,TX 78712

来源：

1996 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY: DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/VLSIT.1996.507824

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：2