Microstructure-property relationship in nitrogen doped Ge2Sb2Te5 phase-change optical recording media

被引：11

作者：

Kim, MR ^{[1
]}

Seo, H ^{[1
]}

Jung, TH ^{[1
]}

Park, JW ^{[1
]}

Yeon, C ^{[1
]}

机构：

[1] LG Corp Inst Technol, Devices & Mat Lab, Seocho Ku, Seoul 137724, South Korea

来源：

OPTICAL DATA STORAGE '98 | 1998年 / 3401卷

关键词：

D O I：

10.1117/12.327945

中图分类号：

TP [自动化技术、计算机技术];

学科分类号：

0812 ;

摘要：

引用

页码：259 / 262

页数：4